參數(shù)資料
型號: V29C51400B
廠商: Mosel Vitelic, Corp.
英文描述: High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲器)
中文描述: 高速4兆的5伏的CMOS閃存(高速分位5V的CMOS閃速存儲器)
文件頁數(shù): 3/16頁
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代理商: V29C51400B
MOSEL V ITELIC
V29C51400T/V29C51400B
3
V29C51400T/V29C51400B Rev. 1.0 February 1999
Functional Block Diagram
Capacitance
(1,2)
NOTE:
1.
2.
Capacitance is sampled and not 100% tested.
T
A
= 25
°
C, V
CC
= 5V
±
10%, f = 1 MHz.
Latch Up Characteristics
(1)
NOTE:
1.
Includes all pins except V
CC
. Test conditions: V
CC
= 5V, one pin at a time.
AC Test Load
Symbol
Parameter
Test Setup
Typ.
Max.
Units
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
Parameter
Min.
Max.
Unit
Input Voltage with Respect to GND on A
9
, OE
-1
+13
V
Input Voltage with Respect to GND on I/O, address or control pins
-1
V
CC
+ 1
V
V
CC
Current
-100
+100
mA
Address buffer & latches
A
0
–A
17
51400-07
I/O Buffer & Data Latches
I/O
0
–I/O
15
Y-Decoder
4,194,304 Bit
Memory Cell Array
X-Decoder
Control Logic
CE
OE
WE
RY/BY
BYTE
51400-08
IN3064 or Equivalent
IN3064
or Equivalent
2.7 k
6.2 k
+5.0 V
IN3064 or Equivalent
IN3064 or Equivalent
C
L
= 100 pF
Device Under
Test
相關PDF資料
PDF描述
V29LC51000 512 KILOBIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29LC51001 1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29LC51002 2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V300A48H250B 300Vin / 48Vout / 250Watts DC-DC Converter Module
V300A48T150B 300Vin / 48Vout / 150Watts DC-DC Converter Module
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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V29GB618 功能描述:電源排插 6’L 4 outlets 18" center distance RoHS:否 制造商:Wiremold 出口數(shù)量: 浪涌能量額定值: 數(shù)據(jù)線路保護:N 電線長度:15 ft 安裝風格: 輸出電壓:120 V 電流額定值:15 A
V29GL01GP11FAIR20 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G(128M x 8) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1
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