參數(shù)資料
型號： V29C51400B
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲器)
中文描述： 高速4兆的5伏的CMOS閃存（高速分位5V的CMOS閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： V29C51400B
MOSEL V ITELIC
V29C51400T/V29C51400B
13
V29C51400T/V29C51400B Rev. 1.0 February 1999
Byte Program Algorithm
Chip/Sector Erase Algorithm
Write Byte-Write
Command Sequence
Add/Data
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/A0H
Four Bus
Cycle
Sequence
PA/PD
Data Polling or Toggle bit
successfully completed
or t
WTWH (2 or 3)
timeout
Data Polling or Toggle bit
successfully completed
or t
WTWH (2 or 3)
timeout
Writing
Completed
Write Erase
Command Sequence
Add/Data
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/80H
Six Bus
Cycle
Sequence
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/10H (Chip Erase)
SA/30H (Sector Erase)
Erase Completed
51400-16
相關PDF資料
PDF描述
V29LC51000 512 KILOBIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29LC51001 1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29LC51002 2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V300A48H250B 300Vin / 48Vout / 250Watts DC-DC Converter Module
V300A48T150B 300Vin / 48Vout / 150Watts DC-DC Converter Module
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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V29GL01GP11FFIR20 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G（128M x 8） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1
V29GL01GP11TAIR20 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G（128M x 8） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1
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