參數(shù)資料
型號： V29C51400B
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲器)
中文描述： 高速4兆的5伏的CMOS閃存（高速分位5V的CMOS閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 14/16頁
文件大小： 76K
代理商： V29C51400B
14
V29C51400T/V29C51400B Rev. 1.0 February
MOSEL V ITELIC
V29C51400T/V29C51400B
DATA Polling Algorithm
Toggle Bit Algorithm
NOTE:
1.
PBA: The byte address to be programmed.
Read I/O
7
Address = PBA
(1)
Program
Done
Program
Done
I/O
7
= Data
No
Yes
Read I/O
6
No
Yes
I/O
6
Toggle
Read I/O
6
51400-17
相關PDF資料
PDF描述
V29LC51000 512 KILOBIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29LC51001 1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29LC51002 2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V300A48H250B 300Vin / 48Vout / 250Watts DC-DC Converter Module
V300A48T150B 300Vin / 48Vout / 150Watts DC-DC Converter Module
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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V29GB618 功能描述:電源排插 6’L 4 outlets 18" center distance RoHS:否 制造商:Wiremold 出口數(shù)量: 浪涌能量額定值: 數(shù)據(jù)線路保護:N 電線長度:15 ft 安裝風格: 輸出電壓:120 V 電流額定值:15 A
V29GL01GP11FAIR20 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G（128M x 8） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1
V29GL01GP11FFIR20 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G（128M x 8） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1
V29GL01GP11TAIR20 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G（128M x 8） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1
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