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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064M90TFIR20 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 143/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL064M90TFIR20 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁當(dāng)前第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
143
P r e l i m i n a r y
Erase And Programming Performance
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
Typical program and erase times assume the following conditions: 25
°
C, V
CC
= 3.0V, 10,000 cycles; checkerboard data pattern.
Under worst case conditions of 90
°
C; Worst case V
CC
, 100,000 cycles.
Effective programming time (typ) is 15
μ
s (per word), 7.5
μ
s (per byte).
Effective accelerated programming time (typ) is 12.5
μ
s (per word), 6.3
μ
s (per byte).
Effective write buffer specification is calculated on a per-word/per-byte basis for a 16-word/32-byte write buffer operation.
In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bits are programmed to 00h before erasure.
System-level overhead is the time required to execute the command sequence(s) for the program command. See Tables 31 and 32 for
further information on command definitions.
Parameter
Typ (Note 1)
Max
(Note 2)
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.5
3.5
sec
Excludes
00h
programm
ing prior to
erasure
Note (6)
Chip Erase Time
S29GL032M
32
64
sec
S29GL064M
64
128
S29GL128M
128
256
S29GL256M
256
512
Total Write Buffer Program Time Notes (3), (5)
240
μs
Excludes
system
level
overhead
Note (7)
Total Accelerated Effective Write Buffer Program Time Notes (4),
(5)
200
μs
Chip Program Time
S29GL032M
31.5
sec
S29GL064M
63
S29GL128M
126
S29GL256M
252
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