參數(shù)資料
型號： M58MR064D120ZC6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit 4Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
中文描述： 64兆位4Mb的x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 31/52頁
文件大?。?/td> 399K
代理商： M58MR064D120ZC6T
37/52
M58MR064C, M58MR064D
Figure 13. Write AC Waveforms, W Controlled
AI90099
tLHAX
ADQ0-ADQ15
L
G
tAVLH
DATA
VALID
ADDRESS
VALID
A16-A21
E
tLLLH
tELWL
tGHWL
W
ADDRESS
VALID
tDVWH
tWHDX
tWLWH
tELLH
tGHLL
tWHGL
V
DD
tVDHEL
BINV
VALID
tLHWH
tWHLL
WP
tWPVWH
tWHWPV
V
PP
tVPPHWH
V
PP1
V
PPH
tWHVPPL
tAVAV
VALID
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PDF描述
M59MR032C100ZC6T 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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M58PR001LE 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:512-Mbit or 1-Gbit (】 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply Flash memories
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