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參數(shù)資料
| 型號： | M58MR064D120ZC6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 30/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 399K |
| 代理商： | M58MR064D120ZC6T |
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M58MR064C, M58MR064D
36/52
Table 29. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(TA = –40 to 85 °C; VDD =VDDQ = 1.65V to 2.0V)
Symbol
Alt
Parameter
M58MR064
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
tAVAV
tWC
Address Valid to Next Address Valid
100
120
ns
tAVLH
Address Valid to Latch Enable High
10
ns
tDVWH
tDS
Input Valid to Write Enable High
40
ns
tELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
10
ns
tELWL
tCS
Chip Enable Low to Write Enable Low
0
ns
tGHLL
Output Enable High to Latch Enable Low
20
ns
tGHWL
Output Enable High to Write Enable Low
20
ns
tLHAX
Latch Enable High to Address Transition
10
ns
tLHWH
Latch Enable High to Write Enable High
10
ns
tLLLH
Latch Enable Pulse Width
10
ns
tVDHEL
tVCS
VDD High to Chip Enable Low
50
s
tVPPHWH
VPP High to Write Enable High
200
ns
tWHDX
tDH
Write Enable High to Input Transition
0
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
0
ns
tWHGL
tOEH
Write Enable High to Output Enable Low
0
ns
tWHLL
Write Enable High to Latch Enable Low
0
ns
tWHVPPL
Write Enable High to VPP Low
200
ns
tWHWL
tWPH
Write Enable High to Write Enable Low
30
ns
tWHWPV
Write Enable High to Write Protect Valid
200
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
50
ns
tWPVWH
Write Protect Valid to Write Enable High
200
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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