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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00F005A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| 中文描述： | 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2 |
| 文件頁數(shù)： | 79/87頁 |
| 文件大小： | 1353K |
| 代理商： | KBE00F005A |
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KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
79
Revision 1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
Ra
Row Active
Read
Write
DQM
*NOTE:
1. DQM is needed to prevent bus contention.
BA0
DQM
DQ
*Note 1
Ca
Qb0
Qb1
Dc0
Dc2
Clock
Suspension
Write
Cb
Ra
t
SHZ
t
SHZ
Read
Clock
Suspension
Write
DQM
Read DQM
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Cc
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00F005A-D411 | 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBJ408G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ4005G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00F005A-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00G003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
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