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參數(shù)資料
| 型號： | K4T1G044QC-ZCLE6 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 8/26頁 |
| 文件大小： | 487K |
| 代理商： | K4T1G044QC-ZCLE6 |
DDR2 SDRAM
K4T1G044QC
K4T1G084QC
Rev. 1.1 June 2007
16 of 26
Symbol
256Mx4 (K4T1G044QC)
Unit
Notes
800@CL=6
667@CL=5
533@CL=4
400@CL=3
CF7
LF7
CE6
LE6
CD5
LD5
CCC
LCC
IDD0
90
85
80
mA
IDD1
100
95
90
mA
IDD2P
158
158158
15
8
mA
IDD2Q
4545
4540
mA
IDD2N
5045
4540
mA
IDD3P-F
4540
3535
mA
IDD3P-S
1818
mA
IDD3N
6560
6055
mA
IDD4W
160
135
120
115
mA
IDD4R
160
135
120
105
mA
IDD5
185
180
175
170
mA
IDD6
15
6
156156
15
6
mA
IDD7
300
280
260
240
mA
Symbol
128Mx8 (K4T1G084QC)
Unit
Notes
800@CL=6
667@CL=5
533@CL=4
400@CL=3
CF7
LF7
CE6
LE6
CD5
LD5
CCC
LCC
IDD0
90
85
80
mA
IDD1
100
95
90
mA
IDD2P158158158158
mA
IDD2Q
45
454540
mA
IDD2N
50
454540
mA
IDD3P-F
45
403535
mA
IDD3P-S
18
181818
mA
IDD3N
65
606055
mA
IDD4W
175
155
140
120
mA
IDD4R
185
155
130
115
mA
IDD5
185
180
175
170
mA
IDD6
156156156156
mA
IDD7
300
280
260
240
mA
11.0 DDR2 SDRAM IDD Spec Table
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4T56163QI-ZLD50 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| K5A3240YT | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K6R1004C1C | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I10 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4T1G044QE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLE7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QF | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb F-die DDR2 SDRAM |
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