- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄224103 > K4T1G044QC-ZCLE6 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4T1G044QC-ZCLE6 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 16/26頁 |
| 文件大小： | 487K |
| 代理商： | K4T1G044QC-ZCLE6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當(dāng)前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁
DDR2 SDRAM
K4T1G044QC
K4T1G084QC
Rev. 1.1 June 2007
23 of 26
For all input signals the total tDS (setup time) and tDH (hold time) required is calculated by adding the data sheet tDS(base) and tDH(base) value to the
tDS and tDH derating value respectively. Example: tDS (total setup time) = tDS(base) + tDS.
tDS1, tDH1 Derating Values for DDR2-400, DDR2-533(All units in ‘ps’; the note applies to the entire table)
DQS Single-ended Slew Rate
2.0 V/ns
1.5 V/ns
1.0 V/ns
0.9 V/ns
0.8 V/ns
0.7 V/ns
0.6 V/ns
0.5 V/ns
0.4 V/ns
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
DQ
Slew
rate
V/ns
2.0
188
167
146
125
63
----
1.5
146
167
125
83
42
81
43
-
----
1.0
63
125
42
83
0
-2
1
-7
-13
----
0.9
-
31
69
-11
-14
-13
-18
-27
-29
-45
-
----
0.8
-
-25
-31
-27
-30
-32
-44
-43
-62
-60
-86
----
0.7
-
----
-45
-53
-50
-67
-61
-85
-78
-109
-108
-152
--
0.6
-
----
--
-74
-96
-85
-114
-102
-138
-181
-183
-246
0.5
-
----
-128
-156
-145
-180
-175
-223
-226
-288
0.4
-
----
--
-210
-243
-240
-286
-291
-351
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4T56163QI-ZLD50 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| K5A3240YT | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K6R1004C1C | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I10 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4T1G044QE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLE7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QE-HCLF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM |
| K4T1G044QF | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb F-die DDR2 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。