參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6691
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
中文描述： HEXFET功率MOSFET的加肖特基二極管
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： IRF6691
www.irf.com
7
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 16.
Gate Charge Test Circuit
Fig 15.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
3
<13$==,,
+
-
+
+
+
-
-
-
3
!"!!
!"!!%"
#$$
Fig 17.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6712SPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6712STRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6716MPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6716MTRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6726MPBF DirectFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF6691TR1 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6691TR1PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6691TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6691TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6691TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
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