參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6691
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
中文描述： HEXFET功率MOSFET的加肖特基二極管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： IRF6691
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.678 0.000860
17.30 0.577560
17.57 8.940000
9.470 106.0000
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
ID
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
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IRF6691TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6691TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6691TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
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