參數(shù)資料
型號： IRF6691
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
中文描述： HEXFET功率MOSFET的加肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/10頁
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代理商： IRF6691
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
10
20
30
40
50
60
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VG
VDS= 16V
VDS= 10V
ID= 17A
0
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1
10
100
1000
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
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PDF描述
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IRF6691TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6691TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6691TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
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