參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6691
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
中文描述： HEXFET功率MOSFET的加肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： IRF6691
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
20
–––
–––
–––
1.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
110
Typ. Max. Units
–––
–––
12
–––
1.8
2.5
1.2
1.8
–––
2.5
-4.1
–––
–––
1.4
–––
500
–––
5
–––
100
–––
-100
–––
–––
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
V
mV/°C
mA
μA
mA
nA
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
gfs
Q
g
S
–––
–––
–––
–––
47
14
4.4
15
71
–––
–––
–––
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
–––
–––
–––
14
19
30
–––
–––
–––
See Fig. 17
nC
–––
–––
–––
0.60
23
95
1.5
–––
–––
ns
–––
–––
–––
–––
25
10
6580
2070
–––
–––
–––
–––
pF
–––
840
–––
Parameter
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
32
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
260
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
32
26
0.65
48
39
V
ns
nC
MOSFET symbol
Clamped Inductive Load
V
DS
= 10V, I
D
= 26A
Conditions
= 1.0MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 26A
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 17A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
I
D
= 10mA, reference to 25°C
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 1.0mA
Reference to 25°C, I
D
= 10mA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
T
J
= 25°C, I
F
= 25A
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 25A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
230
26
Max.
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PDF描述
IRF6712SPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6712STRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6716MPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6716MTRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6726MPBF DirectFET Power MOSFET
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IRF6691TR1PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6691TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6691TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6691TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
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