參數(shù)資料
型號： IRF6691
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
中文描述： HEXFET功率MOSFET的加肖特基二極管
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 228K
代理商： IRF6691
6
www.irf.com
Fig 13c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 14a.
Switching Time Test Circuit
Fig 14b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
V
GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
Fig 13b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
Fig 12.
On-Resistance vs. Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
EA
ID
TOP 12A
15A
BOTTOM26A
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
RD
)
ID = 32A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF6691TR1PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6691TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6691TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6691TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
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