參數資料
型號： HM51S4265DTT-6
元件分類： DRAM
英文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, MO-133BA, TSOP2-44/40
文件頁數： 4/33頁
文件大小： 331K
代理商： HM51S4265DTT-6
HM514265D Series, HM51S4265D Series
12
Refresh Cycle
HM514265D, HM51S4265D
-5
-6/-6R
-7
-8
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit Notes
CAS setup time
(CBR refresh cycle)
t
CSR
10
—
10
—
10
—
10
—
ns
19
CAS hold time
(CBR refresh cycle)
t
CHR
10
—
10
—
10
—
10
—
ns
20
RAS precharge to CAS
hold time
t
RPC
10
—
10
—
10
—
10
—
ns
19
CAS precharge time in
normal mode
t
CPN
8
—
10
—
13
—
15
—
ns
22
EDO Page Mode Cycle
HM514265D, HM51S4265D
-5
-6/-6R
-7
-8
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit Notes
EDO page mode
cycle time
t
HPC
20
—
25
—
30
—
35
—
ns
24
EDO page mode
CAS
precharge time
t
CP
8
—
10
—
13
—
15
—
ns
22
EDO page mode
RAS
pulse width
t
RASC
—
100000 —
100000 ns
12
Access time from
CAS
precharge
t
ACP
—
28
—
35
—
40
—
45
ns
3, 13,
20
RAS hold time from
CAS precharge
t
RHCP
30
—
35
—
40
—
45
—
ns
Output data hold
time from
CAS low
t
DOH
5
—
5—
ns
26
CAS hold time
referred
OE
t
COL
8
—
10
—
13
—
20
—
ns
CAS to OE setup
time
t
COP
5
—
5—
ns
Read command
hold time from
CAS precharge
t
RCHP
30
—
35
—
40
—
45
—
ns
相關PDF資料
PDF描述
HM55-21R47 1 ELEMENT, 0.47 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
HM628127HLJP-25 128K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO32
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HM76-50R78G 1 ELEMENT, 0.78 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
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參數描述
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HM51W4260CLTT-6 制造商:Hitachi 功能描述:
HM5212165/2805 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Series 128M LVTTL Interface SDRAM 66 MHz 2-Mword X 16-Bit X4-Bank
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