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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM51S4265DTT-6 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, MO-133BA, TSOP2-44/40 |
| 文件頁數(shù)： | 32/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 331K |
| 代理商： | HM51S4265DTT-6 |
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HM514265D Series, HM51S4265D Series
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3. Address can be changed once or less within one EDO page cycle.
4. V
IH ≥ VCC – 0.2 V, 0 ≤ VIL ≤ 0.2 V, Address can be changed once or less while RAS = VIL.
5. All the V
CC pins should be supplied with the same voltage.
And all the V
SS pins should be
supplied with the same voltage.
Capacitance (Ta = +25
°C, V
CC = 5 V ±5%) (HM51(S)4265D-5/6R)
(Ta = +25
°C, V
CC = 5 V ±10%) (HM51(S)4265D-6/7/8)
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
C
I1
—
5
pF
1
Input capacitance (Clocks)
C
I2
—
7
pF
1
Output capacitance (Data-in, Data-out)
C
I/O
—
10
pF
1, 2
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2.
RAS, UCAS and LCAS = V
IH to disable Dout.
AC Characteristics
(Ta = 0 to 70
°C, V
CC = 5 V ±5%, VSS = 0 V) (HM51(S)4265D-5/6R) *
1, *14, *15, *17, *18
(Ta = 0 to +70
°C, V
CC = 5 V ±10%, VSS = 0 V)(HM51(S)4265D-6/7/8) *
1, *14, *15, *17, *18
Test Conditions
Input rise and fall time: 2 ns
Input levels: V
IL = 0 V, VIH = 3.0 V
Input timing reference levels: 0.8 V, 2.4 V
Output timing reference levels: 0.8 V, 2.0 V
Output load: 1 TTL gate + C
L (50 pF) (Including scope and jig)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM55-21R47 | 1 ELEMENT, 0.47 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| HM628127HLJP-25 | 128K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO32 |
| HM62W8128DLR-7 | STANDARD SRAM, PDSO32 |
| HM64-104R7 | 1 ELEMENT, 4.7 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| HM76-50R78G | 1 ELEMENT, 0.78 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM51W17805J-6GS | 制造商:Hitachi 功能描述: |
| HM51W18160CLTT-6 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HM51W18165LTT6 | 制造商:HITACHI 功能描述:* |
| HM51W4260CLTT-6 | 制造商:Hitachi 功能描述: |
| HM5212165/2805 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Series 128M LVTTL Interface SDRAM 66 MHz 2-Mword X 16-Bit X4-Bank |
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