參數(shù)資料
型號(hào)： HM51S4265DTT-6
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, MO-133BA, TSOP2-44/40
文件頁(yè)數(shù)： 27/33頁(yè)
文件大?。?/td> 331K
代理商： HM51S4265DTT-6
HM514265D Series, HM51S4265D Series
33
Revision Record
Rev.
Date
Contents of Modification
Drawn by
Approved by
0.0
May. 20, 1996
Initial issue
H. Hisakawa S. Suzuki
1.0
Nov. 28, 1996
Deletion of preliminary
AC Characteristics
Change of note 34
Addition of note 4 to Notes concerning 2
CAS control
Timing Waveforms
Deletion of notes about undefined pins
H. Hisakawa S. Suzuki
2.0
Jul. 10, 1997
Correct errors
DC Characteristics
Test conditions of I
CC1:
UCAS or ... to UCAS, ...
Test conditions of I
LI, ILO:
7 V to 6.5 V
AC Characteristics
Correct numbers on tables
Note 25: t
OFF1 and t OFR are determined the later
rising edge of
RAS or CAS to Data output turns
off .......
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HM5212165/2805 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Series 128M LVTTL Interface SDRAM 66 MHz 2-Mword X 16-Bit X4-Bank
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