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參數(shù)資料
| 型號： | 9S12KT256DGV1 |
| 英文描述： | MC9S12KT256 Device User Guide |
| 中文描述： | MC9S12KT256設(shè)備用戶指南 |
| 文件頁數(shù)： | 118/126頁 |
| 文件大小： | 7307K |
| 代理商： | 9S12KT256DGV1 |
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Device User Guide — 9S12KT256DGV1/D V01.09
118
Freescale Semiconductor
Table A-24 Expanded Bus Timing Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted, C
LOAD
= 50pF
Num
C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P
Frequency of operation (E-clock)
f
o
0
25.0
1
2
P
Cycle time
t
cyc
40
2
3
D
Pulse width, E low
PW
EL
17
3
4
D
Pulse width, E high
1
PW
EH
17
4
5
D
Address delay time
t
AD
8
5
6
D
Address valid time to E rise (PW
EL
–t
AD
)
t
AV
11
6
7
D
Muxed address hold time
t
MAH
2
7
8
D
Address hold to data valid
t
AHDS
7
8
9
D
Data hold to address
t
DHA
2
9
10
D
Read data setup time
t
DSR
13
10
11
D
Read data hold time
t
DHR
0
11
12
D
Write data delay time
t
DDW
7
12
13
D
Write data hold time
t
DHW
2
13
14
D
Write data setup time
(1)
(PW
EH
–t
DDW
)
t
DSW
10
14
15
D
Address access time
(1)
(t
cyc
–t
AD
–t
DSR
)
t
ACCA
19
15
16
D
E high access time
(1)
(PW
EH
–t
DSR
)
t
ACCE
4
16
17
D
Non-multiplexed address delay time
t
NAD
7
17
18
D
Non-muxed address valid to E rise (PW
EL
–t
NAD
)
t
NAV
10
18
19
D
Non-multiplexed address hold time
t
NAH
2
19
20
D
Chip select delay time
t
CSD
16
20
21
D
Chip select access time
(1)
(t
cyc
–t
CSD
–t
DSR
)
t
ACCS
11
21
22
D
Chip select hold time
t
CSH
2
22
23
D
Chip select negated time
t
CSN
8
23
24
D
Read/write delay time
t
RWD
7
24
25
D
Read/write valid time to E rise (PW
EL
–t
RWD
)
t
RWV
10
25
26
D
Read/write hold time
t
RWH
2
26
27
D
Low strobe delay time
t
LSD
7
27
28
D
Low strobe valid time to E rise (PW
EL
–t
LSD
)
t
LSV
10
28
29
D
Low strobe hold time
t
LSH
2
29
30
D
NOACC strobe delay time
t
NOD
7
30
31
D
NOACC valid time to E rise (PW
EL
–t
LSD
)
t
NOV
10
31
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PDF描述 |
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