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參數(shù)資料
| 型號： | 9S12KT256DGV1 |
| 英文描述： | MC9S12KT256 Device User Guide |
| 中文描述： | MC9S12KT256設(shè)備用戶指南 |
| 文件頁數(shù)： | 103/126頁 |
| 文件大?。?/td> | 7307K |
| 代理商： | 9S12KT256DGV1 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁當(dāng)前第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁
Device User Guide — 9S12KT256DGV1/D V01.09
1
f
NVMOP
103
Freescale Semiconductor
The setup time can be ignored for this operation.
A.6.1.4 Mass Erase
Erasing a NVM block takes:
The setup time can be ignored for this operation.
A.6.1.5 Blank Check
The time it takes to perform a blank check on the Flash or EEPROM is dependant on the location of the
first non-blank word starting at relative address zero. It takes one bus cycle per word to verify plus a setup
of the command.
Table A-16 NVM Timing Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
D External Oscillator Clock
f
NVMOSC
0.5
50
1
NOTES
:
1. Restrictions for oscillator in crystal mode apply!
2. Minimum Programming times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP
and maximum bus frequency
f
bus
.
MHz
2
D Bus frequency for Programming or Erase Operations
f
NVMBUS
1
MHz
3
D Operating Frequency
f
NVMOP
150
200
kHz
4
P Single Word Programming Time
t
swpgm
46
2
74.5
3
3. Maximum Erase and Programming times are achieved under particular combinations of f
NVMOP
and bus frequency f
bus
.
Refer to formula in Sections
Section A.6.1.1 Single Word Programming-
Section A.6.1.4 Mass Erase
for guidance.
4. Burst Programming operations are not applicable to EEPROM
5. Minimum Erase times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP
.
6. Minimum time, if first word in the array is not blank
7. Maximum time to complete check on an erased block
μ
s
5
D Flash Burst Programming consecutive word
4
t
bwpgm
20.4
(2)
31
(3)
μ
s
6
D Flash Burst Programming Time for 64 Words
(4)
t
brpgm
1331.2
(2)
2027.5
(3)
μ
s
7
P Sector Erase Time
t
era
20
5
26.7
(3)
ms
8
P Mass Erase Time
t
mass
100
(5)
133
(3)
ms
9
D Blank Check Time Flash per block
t
check
11
6
65546
7
t
cyc
10
D Blank Check Time EEPROM per block
t
check
11
(6)
2058
(7)
t
cyc
t
era
4000
---------------------
≈
t
mass
20000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
check
location t
cyc
10 t
cyc
+
≈
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