參數(shù)資料
型號(hào)： ZPSD611(V)E1
英文描述： Field Programmable Microcontroller Peripherals with Embedded Micro--Cell(可編程邏輯，零功耗，4K位SRAM,26個(gè)可編程I/O,通用PLD有63個(gè)輸入)
中文描述： 現(xiàn)場(chǎng)可編程微控制器外圍設(shè)備和嵌入式微-細(xì)胞（可編程邏輯，零功耗，4K的位的SRAM，26余個(gè)可編程輸入/輸出，通用PLD的有63個(gè)輸入）
文件頁(yè)數(shù)： 56/98頁(yè)
文件大?。?/td> 484K
代理商： ZPSD611(V)E1
ZPSD6XX(V) Family
12-56
Memory Blocks
(cont.)
DPLD
ES0-ES7
RS0
PSEN
RD
EPROM
SRAM
CS
CS
OE
OE
Figure 26. 8031 Memory Modes – Separate Space Mode
DPLD
ES0-ES7
RS0
PSEN
EPROM
SRAM
OE
OE
RD
RD
VM REG BIT 1
VM REG BIT 0
Figure 27. 80C31 Memory Mode – Combined Space Mode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZPSD612(V)E1 Field Programmable Microcontroller Peripherals with Embedded Micro--Cell(可編程邏輯，零功耗，4K位SRAM,26個(gè)可編程I/O,通用PLD有63個(gè)輸入)
ZPSD613(V)E1 Field Programmable Microcontroller Peripherals with Embedded Micro--Cell(可編程邏輯，零功耗，4K位SRAM,26個(gè)可編程I/O,通用PLD有63個(gè)輸入)
ZPSD813F1V Flash In System Programmable Mirocomputer Peripherals(閃速，在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件，1M位閃速存儲(chǔ)器，256K位EEPROM，16K位SRAM)
ZR33771GC-40 Cell Rectifier Diodes
ZR33771GM-20 Cell Rectifier Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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