參數(shù)資料
型號(hào)： W9425G6EH-5I
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 46/54頁(yè)
文件大小： 0K
代理商： W9425G6EH-5I
W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 50 -
Revision A08
11.21 4 Bank Interleave Read Operation (CL = 2, BL = 2)
CMD
DQS
CLK
DQ
Q0a
Q1a
Q0b
Q1b
ACTa/b/c/d
: Bank Act. CMD of bank a/b/c/d
READAa/b/c/d : Read with Auto Pre.CM D of bank a/b/c/d
APa/b/c/d
: Auto Pre. of bank a/b/c/d
ACTa
ACTb
READAa
ACTc
READAb
ACTd
READAc
ACTa
APa
APb
tRCD(a)
tRAS(a)
tRP
tRAS(b)
tRCD(b)
CL(a)
CL(b)
Pream ble
Postam ble Preamble
tRRD
tRC(a)
tRRD
tRAS(c)
tRAS(d)
tRCD(d)
tRCD(c)
tRRD
11.22 4 Bank Interleave Read Operation (CL = 2, BL = 4)
CM D
DQ S
CL K
DQ
A C T a/b/c /d
: B ank A c t. C M D of bank a /b/c /d
R E A D A a/b/c /d : R ead w ith A uto P re.C M D of bank a/b/c /d
A P a/b/c /d
: A uto P re. of bank a /b/c /d
AC T a
R EAD Aa
AC T b
R E AD Ab
AC T c
R EAD Ac
AC T d
R EAD Ad
AC T a
APa
APb
tRCD(a)
tRA S (a)
tRP (a)
tRA S (b)
tRCD(b)
C L(a)
C L(b)
tRRD
tRC(a)
tRR D
tR AS(c)
tRA S (d)
tRCD (d)
tRCD (c)
tRRD
Q2 a
Q3 a
Q2 b
Q3 b
P ream ble
Q0 a
Q1 a
Q0 b
Q1 b
Q0 a
Q1 a
CL (c )
APc
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PDF描述
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參數(shù)描述
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