- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄231493 > W9425G6EH-5I (WINBOND ELECTRONICS CORP) 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W9425G6EH-5I |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 27/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | W9425G6EH-5I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁
W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 33 -
Revision A08
10.8 Table 8: Overshoot/Undershoot Specification for Data, Strobe, and Mask Pins
SPECIFICATION
PARAMETER
DDR500
DDR400
DDR333
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
1.2 V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
1.2 V
The area between the overshoot signal and VDD
must be less than or equal to Max. area in Figure 4
1.44 V-nS
2.25 V-nS
The area between the undershoot signal and GND
must be less than or equal to Max. area in Figure 4
1.44 V-nS
2.25 V-nS
0
0.5 1.0 1.42 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 5.68 6.0 6.5 7.0
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
Max. amplitude = 1.2V
Overshoot
VDD
Max. area
Max. amplitude = 1.2V
GND
Undershoot
Time (nS)
Figure 4: DQ/DM/DQS AC Overshoot and Undershoot Definition
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W7NCF02GH11IS8EG | 128M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC |
| WS512K32-55G2UMA | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WS512K32-45G2UM | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 45 ns, CQFP68 |
| WS512K32L-45G4TM | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 45 ns, CQFP68 |
| WS512K32N-35G4TCA | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9425G6JB-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond 功能描述:16MX16,256Mb DDRI DRAM ,200MHZ, BGA |
| W9425G6JB-5 TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ |
| W9425G6JB-5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9425G6JB-5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ, IN |
| W9425G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。