參數(shù)資料
型號(hào)： W9425G6EH-5I
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 45/54頁
文件大小： 0K
代理商： W9425G6EH-5I
W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 5 -
Revision A08
3. KEY PARAMETERS
SYMBOL
DESCRIPTION
MIN./MAX.
-4
-5/-5I
-6/-6I
Min.
-
7.5 nS
CL = 2
Max.
-
12 nS
Min.
-
6 nS
CL = 2.5
Max.
-
12 nS
Min.
4 nS
5 nS
6 nS
CL = 3
Max.
10 nS
12 nS
Min.
4 nS
-
tCK
Clock Cycle Time
CL = 4
Max.
10 nS
-
tRAS
Active to Precharge Command Period
Min.
36 nS
40 nS
42 nS
tRC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
52 nS
55 nS
60 nS
IDD0
Operating Current:
One Bank Active-Precharge
Max.
110 mA
IDD1
Operating Current:
One Bank Active-Read-Precharge
Max.
150 mA
IDD4R
Burst Operation Read Current
Max.
210 mA
180 mA
170 mA
IDD4W
Burst Operation Write Current
Max.
210 mA
180 mA
170 mA
IDD5
Auto Refresh Current
Max.
190 mA
IDD6
Self-Refresh Current
Max.
3 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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WS512K32-45G2UM 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 45 ns, CQFP68
WS512K32L-45G4TM 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 45 ns, CQFP68
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參數(shù)描述
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