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參數(shù)資料
| 型號： | W25X40-VSSI |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 8/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 1198K |
| 代理商： | W25X40-VSSI |
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W25X10, W25X20, W25X40 AND W25X80
- 16 -
9.2.3
Write Disable (04h)
The Write Enable instruction (Figure 4) sets the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Register to
a 1. The WEL bit must be set prior to every Page Program, Sector Erase, Block Erase, Chip Erase
and Write Status Register instruction. The Write Enable instruction is entered by driving /CS low,
shifting the instruction code “06h” into the Data Input (DI) pin on the rising edge of CLK, and then
driving /CS high.
Figure 4. Write Disable Instruction Sequence Diagram
9.2.4
Write Enable (06h)
The Write Disable instruction (Figure 5) resets the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Register
to a 0. The Write Disable instruction is entered by driving /CS low, shifting the instruction code “04h”
into the DIO pin and then driving /CS high. Note that the WEL bit is automatically reset after Power-up
and upon completion of the Write Status Register, Page Program, Sector Erase, Block Erase and
Chip Erase instructions.
Figure 5. Write Enable Instruction Sequence Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF2M16W-90FLI5A | 2M X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CDFP44 |
| W3EG72129S335JD3SG | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| W3EG72129S202JD3SG | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| W3EG64128S202JD3 | 128M X 64 DDR DRAM MODULE, DMA184 |
| WE512K8300CIA | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CDIP32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25X40VSSIG | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W25X40VSSIG T&R | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W25X40VSSIZ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X40VZPC | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X40VZPCG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
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