參數(shù)資料
型號： W25X40-VSSI
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
封裝： 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8
文件頁數(shù)： 27/42頁
文件大?。?/td> 1198K
代理商： W25X40-VSSI
W25X10, W25X20, W25X40 AND W25X80
Publication Release Date: February 13, 2006
- 33 -
Revision E
10.5 DC Electrical Characteristics
SPEC
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Input Capacitance
CIN(1)
VIN = 0V(2)
6
pf
Output Capacitance
Cout(1)
VOUT = 0V(2)
8
pf
Input Leakage
ILI
±2
A
I/O Leakage
ILO
±2
A
Standby Current
ICC1
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
25
50
A
Power-down Current
ICC2
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
<1
5
A
Current Read Data
1MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
5
8
mA
Current Read Data
50MHz(2)
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
20
25
mA
Current Read Data
75MHz(2)
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
25
30
mA
Current Page
Program
ICC4
/CS = VCC
15
25
mA
Current Write Status
Register
ICC5
/CS = VCC
20
25
mA
Current Sector/Block
Erase
ICC6
/CS = VCC
20
25
mA
Current Chip Erase
ICC7
/CS = VCC
20
25
mA
Input Low Voltage
VIL
–0.5
VCC x 0.3
V
Input High Voltage
VIH
VCC x0.7
VCC +0.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 1.6 mA
0.4
V
Output High Voltage
VOH
IOH = –100 A
VCC –0.2
V
Notes:
1. Tested on sample basis and specified through design and characterization data. TA=25° C, VCC 3V.
2. Checker Board Pattern.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WF2M16W-90FLI5A 2M X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CDFP44
W3EG72129S335JD3SG 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184
W3EG72129S202JD3SG 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
W3EG64128S202JD3 128M X 64 DDR DRAM MODULE, DMA184
WE512K8300CIA 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CDIP32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W25X40VSSIG 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
W25X40VSSIG T&R 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
W25X40VSSIZ 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI
W25X40VZPC 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI
W25X40VZPCG 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI
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