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參數(shù)資料
| 型號： | TTRN0110G |
| 廠商： | Lineage Power |
| 英文描述： | 10 Gbits/s Clock Synthesizer, 16:1 Data Multiplexer(10 G位/秒時(shí)鐘合成器，16:1數(shù)據(jù)多路復(fù)用器) |
| 中文描述： | 10 Gb /秒時(shí)鐘合成器，16:1數(shù)據(jù)復(fù)用器（10政位/秒時(shí)鐘合成器，16:1數(shù)據(jù)多路復(fù)用器） |
| 文件頁數(shù)： | 22/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 633K |
| 代理商： | TTRN0110G |
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TTRN0110G
10 Gbits/s Clock Synthesizer, 16:1 Data Multiplexer
Advance Data Sheet
August 2000
22
Lucent Technologies Inc.
Electrical Characteristics
(continued)
LVDS, CMOS, CML Output Pins
(continued)
Table 13. LVDS Input Pin Parametrics
* Buffer will not produce output transitions when input is open-circuited.
Looser than ICORE/IEEE spec of ±10
.
Table 14. CMOS Input Pin Characteristics
Table 15. CMOS Output Pin Characteristics
Applicable
Pins
D[15:0]P/N,
REFCLKP/N
PICLKP/N
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Vcm
Input Common Mode Voltage
Range
Input Peak Differential Voltage
Threshold Hysteresis*
Differential Input Impedance
Avg(Via,Vib)
0
1200
2400
mV
Vdiff
Vhyst
Rin
|Via-Vib|
(+Vid) – (–Vid)
f = 250 MHz
100
—
80
—
—
100
800
—
120
mV
mV
Applicable
Pins
RESETN,
FECN,
PHADJ[1:0],
CLKMOD[1:0],
REFFREQ,
ENCK10G,
ENLBDN,
ENCK155N,
TESTN
EXTCNTR
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
Input Voltage High
Input Voltage Low
Input Current High Leakage
Input Current Low Leakage
—
—
V
CC
– 1.0
GND
—
–225
V
CC
1.0
10
—
V
V
μ
A
μ
A
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
Input Voltage High
Input Voltage Low
Input Current High Leakage
Input Current Low Leakage
—
—
V
CC
– 1.0
GND
—
–10
V
CC
1.0
225
—
V
V
μ
A
μ
A
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
Applicable
Pins
LCKLOSSN
OVRFLW
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V
OH
V
OL
C
l
Output Voltage High
Output Voltage Low
Output Load Capacitance
I
OH
= –4.0 mA
I
OL
= 4.0 mA
—
V
CC
– 0.5
GND
—
V
CC
0.5
15
V
V
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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