- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383943 > TE28F004B3T90 (INTEL CORP) 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TE28F004B3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 37/58頁 |
| 文件大小： | 920K |
| 代理商： | TE28F004B3T90 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁當前第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁
28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
3UHOLPLQDU\
31
4.7
Program and Erase Timings
NOTES:
1. Typical values measured at nominal voltages and T
A
= +25 °C.
2. Excludes external system-level overhead.
3. Sampled, not 100% tested.
4. x8 not available on 0.18
μ
m offerings
Symbol
Parameter
V
PP
2.7 V–3.6 V
11.4 V–12.6 V
Units
Notes
Typ
(1)
Max
Typ
(1)
Max
t
BWPB
8-KB Parameter Block
Program Time (Byte)
2, 3
0.16
0.48
0.08
0.24
s
4-KW Parameter Block
Program Time (Word)
2, 3
0.10
0.30
0.03
0.12
s
t
BWMB
64-KB Main Block
Program Time (Byte)
2, 3, 4
1.2
3.7
0.6
1.7
s
32-KW Main Block
Program Time(Word)
2, 3
0.8
2.4
0.24
1
s
t
WHQV1
/ t
EHQV1
Byte Program Time
2, 3, 4
17
165
8
185
μs
Word Program Time for
0.18 Micron Product
2,3
12
200
8
185
μs
Word Program Time for 0.25
Micron and 0.4 Micron Products
2, 3
22
200
8
185
μs
t
WHQV2
/ t
EHQV2
8-KB Parameter Block
Erase Time (Byte)
2, 3, 4
1
4
0.8
4
s
4-KW Parameter Block
Erase Time (Word)
2, 3
0.5
4
0.4
4
s
t
WHQV3
/ t
EHQV3
64-KB Main Block
Erase Time (Byte)
2, 3, 4
1
5
1
5
s
32-KW Main Block
Erase Time (Word)
2, 3
1
5
0.6
5
s
t
WHRH1
/ t
EHRH1
Program Suspend Latency
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
/ t
EHRH2
Erase Suspend Latency
5
20
5
20
μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F640B3TC100 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F320B3TC70 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3TC90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F320B3TC90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F004SC-100 | BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F004B5B80 | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F004BEB120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BET120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BVB80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BVT80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。