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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F004B3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 26/58頁 |
| 文件大小： | 920K |
| 代理商： | TE28F004B3T90 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
20
3UHOLPLQDU\
4.4
DC Characteristics
Sym
Parameter
V
CC
2.7 V–3.6 V
2.7 V–2.85 V
2.7 V–3.3 V
Unit
Test Conditions
V
CCQ
2.7 V–3.6 V
1.65 V–2.5 V
1.8 V–2.5 V
Note
Typ
Max
Typ
Max
Typ
Max
I
LI
Input Load Current
1,2
±
1
±
1
±
1
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
I
LO
Output Leakage Current
1,2
±
10
±
10
±
10
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
I
CCS
V
CC
Standby Current for
0.18 Micron Product
1,2
7
15
20
50
150
250
μA
V
= V
Max
CE# = RP# = V
or during Program/
Erase Suspend
WP# = V
CCQ
or GND
V
CC
Standby Current for
0.25 Micron and
0.4 Micron Product
1,2
18
35
20
50
150
250
μA
I
CCD
V
CC
Power-Down Current
for 0.18 Micron Product
1,2
7
15
7
20
7
20
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
RP# = GND ± 0.2 V
V
CC
Power-Down Current
for 0.25 Micron and
0.4 Micron Product
1,2
7
25
7
25
7
25
μA
I
CCR
V
CC
Read Current for
0.18 Micron Product
1,2,3
9
18
8
15
9
15
mA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
OE# = V
IH
, CE# =V
IL
f = 5 MHz, I
OUT
=0 mA
Inputs = V
IL
or V
IH
V
CC
Read Current for
0.25 and 0.4 Micron
Product
1,2,3
10
18
8
15
9
15
mA
I
PPD
V
PP
Deep Power-Down
Current
0.2
5
0.2
5
0.2
5
μA
RP# = GND ± 0.2 V
V
PP
≤
V
CC
V
PP
≤
V
CC
I
PPR
V
PP
Read Current
1,4
2
±
15
2
±
15
2
±
15
μA
50
200
50
200
50
200
μA
V
PP
> V
CC
I
CCW+
I
PPW
V
+ V
Program
Current for 0.18 Micron
Product
1,2,4
18
55
18
55
18
55
mA
V
PP
=V
PP1, 2, 3
Program in Progress
8
15
10
30
10
30
mA
V
PP
= V
PP4
Program in Progress
V
+ V
Program
Current for 0.25 Micron
and 0.4 Micron Product
1,2,4
18
55
18
55
18
55
mA
V
PP
=V
PP1, 2, 3
Program in Progress
10
30
10
30
10
30
mA
V
PP
= V
PP4
Program in Progress
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F640B3TC100 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F320B3TC70 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3TC90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F320B3TC90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F004SC-100 | BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F004B5B80 | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F004BEB120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BET120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BVB80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BVT80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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