- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383943 > TE28F004B3T90 (INTEL CORP) 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F004B3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 920K |
| 代理商： | TE28F004B3T90 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)當(dāng)前第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)
28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
3UHOLPLQDU\
21
DC Characteristics, Continued
DC Characteristics, Continued
NOTES:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at nominal V
CC
, T
A
= +25 °C.
Sym
Parameter
V
CC
2.7 V–3.6 V
2.7 V–2.85 V
2.7 V–3.3 V
Unit
Test Conditions
V
CCQ
2.7 V–3.6 V
1.65 V–2.5 V
1.8 V–2.5 V
Note
Typ
Max
Typ
Max
Typ
Max
I
CCE
+I
PPE
V
+ V
Erase Current
for 0.18 Micron Product
1,2,4
16
45
21
45
21
45
mA
V
PP
= V
PP1, 2, 3
Program in
Progress
V
= V
Program in
Progress
V
= V
Program in
Progress
V
PP
= V
PP4
Program in
Progress
V
= V
Program or Erase
Suspend in
Progress
16
45
16
45
16
45
mA
V
+ V
Erase Current
for 0.25 Micron and 0.4
Micron Product
1,2,4
20
45
21
45
21
45
mA
16
45
16
45
16
45
mA
I
PPES
I
PPWS
V
Erase Suspend
Current
1,4
50
200
50
200
50
200
μA
Sym
Parameter
V
CC
2.7 V–3.6 V
2.7 V–2.85 V
2.7 V–3.3 V
Unit
Test Conditions
V
CCQ
2.7 V–3.6 V
1.65 V–2.5 V
1.8 V–2.5 V
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
V
IL
Input Low Voltage
–0.4
V
*
0.22 V
V
CCQ
+0.3V
–0.4
0.4
–0.4
0.4
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CCQ
–0.4V
V
CCQ
+0.3V
V
CCQ
–0.4V
V
CCQ
+0.3V
V
V
OL
Output Low Voltage
–0.1
0.1
-0.1
0.1
-0.1
0.1
V
V
CC
= V
CC
Min
V
CCQ
= V
CCQ
Min
I
OL
V
CC
= V
CC
Min
V
CCQ
= V
CCQ
Min
I
OH
A
Complete Write
Protection
V
OH
Output High Voltage
V
CCQ
–0.1V
V
CCQ
–0.1V
V
CCQ
–0.1V
V
V
PPLK
V
PP
Lock-Out Voltage
5
1.5
1.5
1.5
V
V
PP1
V
PP2
V
PP3
V
PP4
V
during Program and
Erase Operations
5
5
5
2.7
3.6
V
V
V
V
2.7
2.85
2.7
11.4
3.3
12.6
5,6
11.4
12.6
11.4
12.6
V
LKO
V
Prog/Erase
Lock Voltage
V
CCQ
Prog/Erase
Lock Voltage
1.5
1.5
1.5
V
V
LKO2
1.2
1.2
1.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F640B3TC100 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F320B3TC70 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3TC90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F320B3TC90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F004SC-100 | BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F004B5B80 | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F004BEB120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BET120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BVB80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BVT80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。