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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F004B3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 25/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 920K |
| 代理商： | TE28F004B3T90 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
3UHOLPLQDU\
19
4.2
Operating Conditions
NOTES:
1. V
CC1
, V
, and V
must share the same supply when all three are between 2.7 V and 3.6 V.
2. V
Max is 3.3 V on 0.25
μ
m 32-Mbit devices.
3. During read operations or idle time, 5 V may be applied to V
PP
indefinitely. V
PP
must be at valid levels for
program and erase operations
4. Applying V
= 11.4 V–12.6 V during a program/erase can only be done for a maximum of 1000 cycles on
the main blocks and 2500 cycles on the parameter blocks. V
PP
may be connected to 12 V for a total of
80 hours maximum. See
Section 3.4
for details.
4.3
Capacitance
T
A
= 25 °C, f = 1 MHz
NOTE:
Sampled, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Units
T
A
Operating Temperature
–40
+85
°C
V
CC1
V
CC
Supply Voltage
1, 2
2.7
3.6
Volts
V
CC2
2.7
2.85
V
CC3
2.7
3.3
V
CCQ1
I/O Supply Voltage
1
2.7
3.6
Volts
V
CCQ2
1.65
2.5
V
CCQ3
1.8
2.5
V
PP1
Program and Erase Voltage
1
2.7
3.6
Volts
V
PP2
2.7
2.85
V
PP3
2.7
3.3
V
PP4
3, 4
11.4
12.6
Cycling
Block Erase Cycling
4
100,000
Cycles
Sym
Parameter
Notes
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
Input Capacitance
1
6
8
pF
V
IN
= 0 V
C
OUT
Output Capacitance
1
10
12
pF
V
OUT
= 0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F640B3TC100 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F320B3TC70 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3TC90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F320B3TC90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F004SC-100 | BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F004B5B80 | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F004BEB120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BET120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BVB80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BVT80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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