- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372145 > SI4800 (NXP SEMICONDUCTORS) N-channel enhancement mode field-effect transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SI4800 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 9 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 7/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 254K |
| 代理商： | SI4800 |
Philips Semiconductors
Si4800
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 13 July 2001
7 of 13
9397 750 08412
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 250
μ
A; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
o
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
(V)
max
typ
min
03af89
10
2
10
3
10
4
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
iss
C
oss
C
rss
(pF)
C
iss
C
oss
C
rss
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4884 | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| Si4884DY | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages |
| SI4884DY | Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| SI5311-H | IRED |
| SI5311-H(B) | IRED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4800,518 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4800BDY | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| SI4800BDY-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI4800BDY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4800BDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。