參數(shù)資料
型號(hào)： SI4800
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 9 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： SI4800
Philips Semiconductors
Si4800
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 13 July 2001
2 of 13
9397 750 08412
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
5.
Quick reference data
6.
Limiting values
Table 2:
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
I
D
drain current
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
R
DSon
drain-source on-state resistance
Quick reference data
Conditions
T
j
= 25 to 150
°
C
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s
Typ
15.5
27.5
Max
30
9
2.5
150
18.5
33
Unit
V
A
W
°
C
m
m
V
GS
= 10 V; I
D
= 9 A; T
j
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 7 A; T
j
= 25
°
C
Table 3:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
I
D
drain current
Limiting values
Conditions
T
j
= 25 to 150
°
C
Min
55
55
Max
30
±
20
9
7
40
2.5
1.6
+150
+150
Unit
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s;
Figure 2
and
3
T
amb
= 70
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s;
Figure 2
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s;
Figure 1
T
amb
= 70
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s;
Figure 1
I
DM
P
tot
peak drain current
total power dissipation
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current
storage temperature
operating junction temperature
T
amb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10 s
2.3
A
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