參數(shù)資料
型號： Si4884DY
廠商： National Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages
中文描述： N溝道場效應(yīng)管同步降壓穩(wěn)壓控制器輸出電壓低
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： SI4884DY
SI4884
TrenchMOS logic level FET
Rev. 02 — 12 April 2002
Product data
M3D315
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
SI4884 in SOT96-1 (SO8).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
I
Low on-state resistance
I
Fast switching.
I
DC to DC converters
I
Portable equipment applications.
I
V
DS
= 30 V
I
P
tot
= 2.5 W
I
I
D
= 12 A
I
R
DSon
= 16.5 m
.
Table 1:
Pin
1,2,3
4
5,6,7,8
Pinning - SOT96-1, simplified outline and symbol
Description
source (s)
gate (g)
drain (d)
Simplified outline
Symbol
SOT96-1 (SO8)
4
5
1
Top view
8
MBK187
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4884DY Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
SI5311-H IRED
SI5311-H(B) IRED
SI5411-H IRED
SI5411-H(B) IRED
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4884DY 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
SI4884DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
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