參數(shù)資料
型號： Si4884DY
廠商： National Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages
中文描述： N溝道場效應管同步降壓穩(wěn)壓控制器輸出電壓低
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 89K
代理商： SI4884DY
Philips Semiconductors
SI4884
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 12 April 2002
10 of 12
9397 750 09582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
7.
Revision history
Table 5:
Rev Date
02
Revision history
CPCN
20020412
Description
Product data; version 02. Supersedes data of 15 March 2002.
Figure 3 t
p
label error corrected.
Product data; initial version
-
01
20020315
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4884DY Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
SI5311-H IRED
SI5311-H(B) IRED
SI5411-H IRED
SI5411-H(B) IRED
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4884DY 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
SI4884DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
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