參數(shù)資料
型號： Si4884DY
廠商： National Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages
中文描述： N溝道場效應(yīng)管同步降壓穩(wěn)壓控制器輸出電壓低
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 89K
代理商： SI4884DY
Philips Semiconductors
SI4884
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 12 April 2002
2 of 12
9397 750 09582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
3.
Limiting values
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage
I
D
drain current
I
DM
peak drain current
P
tot
total power dissipation
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current
Limiting values
Conditions
T
j
= 25 to 150
°
C
Min
-
-
-
-
-
55
55
Max
30
±
20
12
45
2.5
+150
+150
Unit
V
V
A
A
W
°
C
°
C
T
sp
= 25
°
C;
Figure 2
and
3
T
sp
= 25
°
C; pulsed;
Figure 3
T
sp
= 25
°
C;
Figure 1
T
sp
= 25
°
C
-
12
A
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PDF描述
SI4884DY Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
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SI4884DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
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