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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI4800 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 9 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | SI4800 |
Philips Semiconductors
Si4800
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 13 July 2001
3 of 13
9397 750 08412
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
amb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa11
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
amb
(
o
C)
P
der
(%)
03aa19
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
amb
(
o
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03af84
10-2
10-1
1
10
102
10-1
1
10
102
V
DS
(V)
I
D
(A)
D.C.
100 ms
10 ms
R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
tp = 10 μs
10 s
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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