參數(shù)資料
型號： SI4800
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 9 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 1/13頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： SI4800
Si4800
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 13 July 2001
Product data
c
c
M3D315
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
Si4800 in SOT96-1 (SO8).
2.
Features
I
Low on-state resistance
I
Fast switching
I
TrenchMOS technology.
3.
Applications
I
DC to DC convertors
I
DC motor control
I
Lithium-ion battery applications
I
Notebook PC
I
Portable equipment applications.
4.
Pinning information
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT96-1, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1,2,3
source (s)
SOT96-1 (SO8)
4
gate (g)
5,6,7,8
drain (d)
4
5
1
Top view
8
MBK187
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4884 TrenchMOS⑩ logic level FET
Si4884DY N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages
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SI5311-H IRED
SI5311-H(B) IRED
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參數(shù)描述
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SI4800BDY 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
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SI4800BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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