參數(shù)資料
型號： SI4800
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 9 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： SI4800
Philips Semiconductors
Si4800
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 13 July 2001
6 of 13
9397 750 08412
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03af85
0
10
20
30
40
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
(V)
I
D
(A)
3.5 V
5 V
4.5 V
4 V
10 V
3 V
V
GS
= 2.5 V
T
j
= 25 oC
03af87
0
10
20
30
40
I
D
(A)
0
1
2
3
4
5
V
GS
(V)
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 150 oC
25 oC
03af86
0
0.01
0.02
0.03
0
10
20
30
40
I
D
(A)
R
DSon
(
)
T
j
= 25 oC
V
GS
= 10 V
5 V
4.5 V
03ad57
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60
0
60
120
180
T
j
(oC)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
---------------------------
=
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