參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL128M90FAIR20
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： MOSFET, Switching; VDSS (V): -30; ID (A): -14; Pch : 2.5; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.009; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.015]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 3500; toff (µs) typ: 0.31; Package: SOP-8
中文描述： 8M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64
封裝： 13 X 11 MM, FORTIFIED, BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 79/160頁(yè)
文件大小： 2142K
代理商： S29GL128M90FAIR20
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
79
P r e l i m i n a r y
Table 14. Autoselect Codes, (High Voltage Method)
Legend:
L = Logic Low = V
IL
, H = Logic High = V
IH
, SA = Sector Address, X = Don’t care.
Sector Group Protection and Unprotection
The hardware sector group protection feature disables both program and erase
operations in any sector group. In this device, a sector group consists of four ad-
jacent sectors that are protected or unprotected at the same time (see
Table 4
).
The hardware sector group unprotection feature re-enables both program and
erase operations in previously protected sector groups. Sector group protection/
unprotection can be implemented via two methods.
Sector protection/unprotection requires V
ID
on the RESET# pin only, and can be
implemented either in-system or via programming equipment. Figure 2 shows
the algorithms and Figure 24 shows the timing diagram. This method uses stan-
Description
CE
#
OE#
WE
#
A2
2t
o
A1
5
A1
4
to
A1
0
A9
A8
to
A7
A6
A
5
to
A
4
A
3
to
A
2
A
1
A
0
DQ8 to DQ15
BYTE
# =
V
IH
DQ7 to DQ0
Model Number
BYTE#
= V
IL
R0
R1,R2
R3,R4
R5,R6
,R7
Manufacturer ID
:
Spansion
Products
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
L
L
L
00
X
01h
01h
01h
01h
S
Cycle 1
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
L
L
H
22
X
7Eh
Cycle 2
H
H
L
22
X
12h
Cycle 3
H
H
H
22
X
01h
S
Cycle 1
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
L
L
H
22
X
7Eh
Cycle 2
H
H
L
22
X
12h
Cycle 3
H
H
H
22
X
00h
S
Cycle 1
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
L
L
H
22
X
7Eh
7Eh
7Eh
7Eh
Cycle 2
H
H
L
22
X
13h
0Ch
10h
13h
Cycle 3
H
H
H
22
X
00h
01h
00h (-R4, bottom
boot)
01h (-R3, top
boot)
01h
S
Cycle 1
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
L
L
H
22
X
7Eh
7Eh
7Eh
Cycle 2
H
H
L
22
X
1Ch
1Dh
1Ah
Cycle 3
H
H
H
22
X
00h
00h
00h (-R4, bottom
boot)
01h (-R3, top
boot)
Sector Group
Protection
Verification
L
L
H
SA
X
V
ID
X
L
X
L
H
L
X
X
01h (protected),
00h (unprotected)
SecSi Sector
Indicator Bit
(DQ7), WP#
protects highest
address sector
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
L
H
H
X
X
98h (factory locked),
18h (not factory locked)
SecSi Sector
Indicator Bit
(DQ7), WP#
protects lowest
address sector
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
L
H
H
X
X
88h (factory locked),
08h (not factory locked)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL128M90FAIR22 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL128M90FAIR23 MOSFET, Switching; VDSS (V): -60; ID (A): -5; Pch : 2.0/3.0; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.06; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.09]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1350; toff (µs) typ: 0.055; Package: SOP-8
S29GL128M90FAIR80 MOSFET, Switching; VDSS (V): -60; ID (A): -5; Pch : 2.0/3.0; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.06; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.09]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1350; toff (µs) typ: 0.055; Package: SOP-8
S29GL128M90FAIR82 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL128M90FAIR83 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL128M90TAIR10 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray
S29GL128M90TAIR13 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 90NS 56TSOP - Tape and Reel
S29GL128M90TFIR10 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray
S29GL128N10FFI010 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 128MB SMD 29LV128
S29GL128N10FFI020 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC
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