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參數(shù)資料
| 型號： | M470T2953CZ3-CE7 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.4 ns, ZMA200 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
| 文件頁數(shù)： | 18/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 355K |
| 代理商： | M470T2953CZ3-CE7 |
Rev. 1.6 March 2007
SODIMM
DDR2 SDRAM
Page 7 of 20
S0
DQS1
DM1
CS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D0
LDQS
LDM
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
UDQS
UDM
DQS5
DM5
CS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D2
LDQS
LDM
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
UDQS
UDM
DQS3
DM3
CS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D1
LDQS
LDM
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
UDQS
UDM
DQS7
DM7
CS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D3
LDQS
LDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
UDQS
UDM
C
K
E
O
D
T
C
K
E
O
D
T
C
K
E
O
D
T
C
K
E
O
D
T
CS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D4
LDQS
LDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
UDQS
UDM
CS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D5
LDQS
LDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
UDQS
UDM
C
K
E
O
D
T
C
K
E
O
D
T
CS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D6
LDQS
LDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
UDQS
UDM
CS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D7
LDQS
LDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
UDQS
UDM
C
K
E
O
D
T
C
K
E
O
D
T
S1
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
SPD
SA0
SCL
SDA
VSS
DDR2 SDRAMs D0 - D7, SPD
VREF
DDR2 SDRAMs D0 - D7
DDR2 SDRAMs D0 - D7, VDD and VDDQ
VDD
VDDSPD
Serial PD
WP
SA1
SCL
A0
A1
A2
A0 - A13
DDR2 SDRAMs D0 - D7
RAS
DDR2 SDRAMs D0 - D7
CAS
DDR2 SDRAMs D0 - D7
WE
DDR2 SDRAMs D0 - D7
BA0 - BA1
DDR2 SDRAMs D0 - D7
3
+ 5%
Note :
1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms
± 5%.
2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 3.0 Ohms
± 5%.
* Wire per Clock Loading
Table/Wiring Diagrams
* Clock Wiring
Clock Input
DDR2 SDRAMs
*CK0/CK0
*CK1/CK1
4 DDR2 SDRAMs
3
+ 5%
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
7.0 Functional Block Diagram :
7.1 512MB, 64Mx64 Module - M470T6554CZ3/M470T6554CZ0
(Populated as 2 rank of x16 DDR2 SDRAMs)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M485L1624FT0-LA2 | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| M485L1624FT0-CB3 | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| M5-NP | UNSHIELDED, 0.056 uH - 0.12 uH, VARIABLE INDUCTOR, SMD |
| M504-7885022 | 50 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE PCMCIA CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M50FLW080AN5G | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M470T2953CZ3-CLCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953CZ3-CLD5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953CZ3-CLE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953CZ3-CLE7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953EZ3CE600 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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