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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M470T2953CZ3-CE7 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.4 ns, ZMA200 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 355K |
| 代理商： | M470T2953CZ3-CE7 |
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Rev. 1.6 March 2007
SODIMM
DDR2 SDRAM
Page 20 of 20
The used device is 64M x8 DDR2 SDRAM, FBGA.
DDR2 SDRAM Part NO : K4T51083QC
3.8 mm
1.1mm
max
67.60
± 0.15 mm
4.0
0
±
0.
10
20.
00
±
0.
15
m
30
.0
0
±
0.
15
mm
1
199
11.40
± 0.15 mm
47.40
± 0.15 mm
6.
00
±
0.
15
mm
63.00
± 0.15 mm
16.25
± 0.15 mm
min 2.00
67.60
± 0.15 mm
30.
00
±
0.
15
mm
2
200
SPD
a
b
a
4.20
± 0.15
2.70
± 0.10
4.00
± 0.10
1.0
± 0.05
1.50
± 0.10
FRONT SIDE
4.20
± 0.15
1.80
± 0.10
4.00
± 0.10
1.0
± 0.05
2.40
± 0.10
BACK SIDE
0.60
± 0.15
0.45
± 0.03
2.
55
±
0.
1
5
0.2
0
±
0.1
5
DETAIL a
DETAIL b
14.3 64Mbx8 based 128Mx64 Module (2 Ranks)
- M470T2953CZ3/M470T2953CZ0
Units : Millimeters
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M485L1624FT0-LA2 | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| M485L1624FT0-CB3 | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| M5-NP | UNSHIELDED, 0.056 uH - 0.12 uH, VARIABLE INDUCTOR, SMD |
| M504-7885022 | 50 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE PCMCIA CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M50FLW080AN5G | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M470T2953CZ3-CLCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953CZ3-CLD5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953CZ3-CLE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953CZ3-CLE7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953EZ3CE600 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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