參數(shù)資料
型號： K4B4G0846B-MCF80
元件分類： DRAM
英文描述： 512M X 8 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA78
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
文件頁數(shù)： 31/59頁
文件大?。?/td> 1079K
代理商： K4B4G0846B-MCF80
Page 37 of 59
Rev. 1.0 March 2009
DDP 4Gb DDR3 SDRAM
K4B4G0446B
K4B4G0846B
11.0 DDP 4Gb DDR3 SDRAM B-die IDD Spec Table
[ Table 40 ] IDD Specification for DDP 4Gb DDR3 B-die
Symbol
1Gx4 (K4B4G0446B)
Unit
Notes
DDR3-800
DDR3-1066
DDR3-1333
DDR3-1600
6-6-6
7-7-7
9-9-9
TBD
IDD0
100
110
115
TBD
mA
IDD1
115
125
130
TBD
mA
IDD2P0(slow exit)
24
TBD
mA
IDD2P1(fast exit)
50
TBD
mA
IDD2N
708080
TBD
mA
IDD2NT
70
80
90
TBD
mA
IDD2Q
607070
TBD
mA
IDD3P(fast exit)
60
70
TBD
mA
IDD3N
85
95
100
TBD
mA
IDD4R
135
160
175
TBD
mA
IDD4W
140
165
180
TBD
mA
IDD5B
220
225
TBD
mA
IDD6
24
TBD
mA
IDD7
235
250
300
TBD
mA
Symbol
512Mx8 (K4B4G0846B)
Unit
Notes
DDR3-800
DDR3-1066
DDR3-1333
DDR3-1600
6-6-6
7-7-7
9-9-9
TBD
IDD0
100
110
115
TBD
mA
IDD1
115
125
130
TBD
mA
IDD2P0(slow exit)
24
TBD
mA
IDD2P1(fast exit)
50
60
70
TBD
mA
IDD2N
708080
TBD
mA
IDD2NT
80
90
TBD
mA
IDD2Q
647080
TBD
mA
IDD3P(fast exit)
60
70
TBD
mA
IDD3N
85
95
100
TBD
mA
IDD4R
140
165
185
TBD
mA
IDD4W
145
170
190
TBD
mA
IDD5B
220
225
TBD
mA
IDD6
24
TBD
mA
IDD7
245
270
320
TBD
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E640411D-TC500 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32
K4F640411C-TC500 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO32
K4F640412C-JC450 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 45 ns, PDSO32
K4T1G044QC-ZCLE6 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60
K4T56163QI-ZLD50 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4B4G0846B-MCH9 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification
K4B4G0846D-BCK0000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4B4G1646B-HCH9000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4B4G1646B-HCK000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4B4G1646B-HCK0000 制造商:Samsung 功能描述:DDR SGRAM X16 TSOP2 - Trays
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