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參數(shù)資料
| 型號： | K4B4G0846B-MCF80 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 8 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA78 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
| 文件頁數(shù)： | 20/59頁 |
| 文件大小： | 1079K |
| 代理商： | K4B4G0846B-MCF80 |
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Rev. 1.0 March 2009
DDP 4Gb DDR3 SDRAM
K4B4G0446B
K4B4G0846B
CK
Begin point : Rising edge of CK - CK
with ODT being first registered low
tAOFPD
VTT
DQ, DM
DQS , DQS
TDQS , TDQS
VRTT_Nom
TSW1
TSW2
VSW1
VSW2
End point Extrapolated point at VRTT_Nom
VSSQ
CK
Begin point : Rising edge of CK - CK
defined by the end point of ODTLcnw
tADC
VTT
DQ, DM
DQS , DQS
TDQS , TDQS
VRTT_Nom
TSW11
TSW21
VSW1
End point Extrapolated point at VRTT_Nom
VRTT_Wr
End point Extrapolated point at VRTT_Wr
tADC
VSW2
Begin point : Rising edge of CK - CK defined by
the end point of ODTLcwn4 or ODTLcwn8
End point
Extrapolated point
at VRTT_Nom
TSW12
TSW22
VRTT_Nom
VSSQ
Figure 17. Definition of tAOFPD
Figure 18. Definition of tADC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E640411D-TC500 | 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| K4F640411C-TC500 | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| K4F640412C-JC450 | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 45 ns, PDSO32 |
| K4T1G044QC-ZCLE6 | 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| K4T56163QI-ZLD50 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4B4G0846B-MCH9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B4G0846D-BCK0000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4B4G1646B-HCH9000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4B4G1646B-HCK000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4B4G1646B-HCK0000 | 制造商:Samsung 功能描述:DDR SGRAM X16 TSOP2 - Trays |
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