參數(shù)資料
型號： IS43R32800B-5BL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144
文件頁數(shù)： 7/39頁
文件大小： 507K
代理商： IS43R32800B-5BL
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
15
Rev. 00D
03/19/08
IS43R32800B
Min.
MaxMin.Max
Min.
Max
tACD QOutputaccesstimefromCLK //CL K
-0.70
+0.70-0.70
+0.70-0.75
+0.75ns
tDQSCK DQSO utputaccesstimefromCLK //CL K
-0.6+0.6-0.60
+0.60-0.75
+0.75ns
tCHC LK Highlevelwidth
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
tCLC LK Lowlevel width
0.450.550.450.550.450.55tCK
CL =3.0
57.5
6127.5
12
ns
CL =2.5
5126127.5
12
ns
CL =2.0
7.5127.5
12
7.512ns
tDSI nput Setuptime(DQ ,DM)
0.40.450.5
ns
tDHI nput Hold time(DQ,DM )
0.4
0.45
0.5ns
tIPW
Control& addressinput pulsewidth(for eachinput)
2.22.2
2.2ns
tDIP WD Qand DM inputpulse width(foreachinput)
1.751.751.75ns
tHZData-out-highimpedancetimefromCLK //CL K
+0.70
+0.70+0.75
ns
14
tLZData-out-lowimpedance time fromCL K//CLK
-0.70+0.70
-0.75+0.75
ns
14
tDQSQDQV alid data delaytimefromDQS
0.40
0.45
0.5ns
tHPC lock half period
tCLmin or
tCHmin
tCLmin or
tCHmin
tCLmin or
tCHmin
ns
20
tQHDQoutputholdtimefromDQS (per access)
tHP-tQHS
ns
tQHS
Data hold skew factor (for DQ S&a ssociated DQ signals)
0.50
0.55
0.75
tDQSSW rite command to firstDQS latchingtransition
0.72
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
tCK
tDQSHDQS inputHighlevel width
0.350.350.35tCK
tDQSLD QS inputLow levelwidth
0.35
tCK
tDSS
DQSfallingedgetoCLK setuptime
0.2
0.20.2
tCK
tDSH
DQSfallingedgeholdtimefromCLK
0.20.2
0.2tCK
tMRD
Mode Register Setcommand cycletime
222
tCK
tWPR ES Writepreamblesetup time
000
ns
16
tWPST
Write postamble
0.40.6
tCK1 5
tWPR EW rite preamble
0.25
tCK
tISI nput Setuptime(addressand control)
0.60.750.9
ns
19
tIHI nput Hold time (addressand control)
0.60.750.9
ns
19
tRPST
Read postamble
0.40.6
tCK
tRPR ER eadpreamble
0.9
1.10.9
1.1tCK
tCK
Symbol
AC CharacteristicsParameter
-5
Notes
-6
CL Kc ycle time
-75
Unit
AC TIMING REQUIREMENTS
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PDF描述
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IS43R32800B-5BLI 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5BL-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5B-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-6B 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 333MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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