參數(shù)資料
型號(hào)： IS43R32800B-5BL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144
文件頁(yè)數(shù)： 5/39頁(yè)
文件大?。?/td> 507K
代理商： IS43R32800B-5BL
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
13
Rev. 00D
03/19/08
IS43R32800B
DC OPERATINGCONDITIONS
Min.
Typ.
Max.
SupplyVoltage
2.3
2.5
2.7
V
SupplyVoltage forOutput
2.3
2.7
V
High-LevelI nput Voltage
VREF +0.15VDD+0.3
V
Low-LevelI nputVoltage
-0.3
VREF -0.15
V
InputL eakageCurrent
Anyinput0V <V IN<VDD
(A ll otherpinsnot undertest= 0V )
-2
2
uA
OutputL eakageCurrent:D Qare
disabled:0V< Vout<VDDQ
-5
5
uA
2.4
V
0.4
V
Notes
Limits
Unit
OutputLevels:
OutputHigh Voltage(Iout=-4mA)
OutputLowV oltage(I out=4mA)
Parameter
Symbol
Parameter
ConditionsR atings
Unit
VDD
SupplyV oltage
with respecttoV ss
-0.5 ~3.7
V
VDDQ
Supply Voltagefor Output
with respecttoV ssQ-0.5~ 3.7V
VI
InputV oltage
with respecttoV ss
-0.5 ~V dd+0.5V
VO
Output Voltagewithrespect to Vs sQ
-0.5 ~V ddQ+0.5V
IO
Output Current5
Pd
PowerDissipation
Ta =25
oC
2000
mW
Topr
Op
Commercial
Industrial
eratingTemperature
0 to +70
-40 to +85
oC
Ts tg
StorageTemperature
-65~ 150
oC
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
VDD = VDDQ =2.5V+ 0.2V,V ss =V ssQ= 0V ,unlessotherwise noted)
Min. Max.
CI (A )I nput Capacitance, addresspin
VI =1.25V
1.2
2.2
pF
CI (C )I nputCapacitance, controlpin
f=100MHz
1.2
2.2
pF
CI (K )I nput Capacitance, CL Kpin
VI= 25mVr ms
1.2
2.2
0.25
pF
4.2
1.3
pF
CI /O
I/OC apacitance, I/O, DQ S, DM pin
0.75
Notes
Limits
Symbol
Parameter
TestCondition
Unit
Delta
Cap.(Max.)
50
mA
-5, -6, -75
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PDF描述
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參數(shù)描述
IS43R32800B-5BLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5BLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5BL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5B-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 400MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-6B 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 333MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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