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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS43R32800B-5BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 6/39頁 |
| 文件大小： | 507K |
| 代理商： | IS43R32800B-5BL |
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14
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00D
03/19/08
IS43R32800B
-5
-6
-75
IDD1
OPER AT IN GC URRENT :One Bank;Active-Read-Precharge ;Burst =2;
tRC =t RC MI N; tCK= tCKM IN ;I OUT =0mA;Addressandcontrol
inputschangingonceper clockcycle
250
230
IDD5 AU TO REFRESH C URRENT :t RC =t RF C( MI N)
250
240
IDD6 SELF REFRESH C URRENT :C KE < 0.2V
5
AC TI VE STANDB YC URRE NT:/CS > VI H( MI N) ;C KE > VI H( MI N) ;
Onebank; Ac tive-Precharge;t RC =t RA SM AX ;t CK =t CK MI N;
DQ,DM andDQS inputschangingtwice perclock cycle; addressandother
controlinputschanging once per clockcycle
IDD3 N
IDD2 P
IDD2 N
ID LE STANDB YC URRENT :/CS > VI H( MI N) ;All banksidle;
CK E> VI H( MI N) ;t CK =t CK MI N; Addressandothercontrol inputs
changingonce perclock cycle
IDD3 P
AC TI VE POWE R DOW NSTA NDB YC URRENT :One bankactive;power
down mode;C KE < VI L( MA X) ;t CK =t CK MI N
360
Limits(Max.)
35
100
65
40
35
55
360
Notes
Symbol
Parameter/TestConditions
mA
Unit
IDD4 W
OPER AT IN GC URRENT :B urst =2;W rite ;C ontinuous burst;Al lbanks
active; Addressandcontrolinputschangingonce perclock cycle;tCK= t
CK MI N; DQ andDQS inputs changingtwiceper clockcycle
PR ECHA RG EP OW ER- DOW NSTA NDB YC URRENT :All banksidle;
power-downmode; CK E<VI L( MA X) ;t CK =t CK MI N
400
65
70
105
IDD4 R
OPER AT IN GC URRENT :B urst =2;R ead; Continuous burst;Al lbanks
active; Addressandcontrolinputschangingonceper clockcycle;t CK =t
CK MI N; IOUT =0 mA
400
360
100
50
VDD = VDDQ =2.5V+ 0.2V,V ss =V ssQ= 0V ,OutputOpen, unless otherwisenoted
AVERAGE SUPPLY CURRENT FROM VDD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BLI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5BLI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5BL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5B-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 400MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-6B | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 333MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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