- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄296249 > IS43R32800B-5BL (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS43R32800B-5BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 2/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 507K |
| 代理商： | IS43R32800B-5BL |
第1頁當前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00D
03/19/08
IS43R32800B
ABBREVIATIONS :
H=Hi gh Level, L= LowL evel,X =Don't Care
BA =BankA ddress,R A=RowAddress, CA =ColumnAddress, NOP =NoOperation
NOTES :
1. Al lentries assume that CK Ewas Hi gh during thepreceding clockcycle andthe currentclock cycle.
2. ILLEGAL to bank in specifiedstate;functionmay be legalinthe bank indicatedbyB A, dependingonthe stateof
that bank.
3. Must satisfybus contention,bus turn around,write recovery requirements.
4. NOP to bank precharging or in idle state. Mayprechargebank indicatedbyB A.
5. ILLE GAL if anybankisnot idle.
ILLE GA L= Device operationand/ordata-integrity arenot guaranteed.
Current State/ CS /RAS /CAS /WEAddress
Command
Action
REFRESHING
HX
XX
XDES EL
NO P(Idle aftertRC )
LH
HH
XNOP
NO P(Idle aftertRC )
LH
HL
BA
TERM
ILLE GAL
LH
LX
BA ,C A, A8
READ /WRI TE
ILLEGAL
LL
HH
BA ,R AACT
ILLEGAL
LL
HL
BA ,A 8PRE /PRE A
ILLEG AL
LL
LH
XREF A
ILLEGAL
LL
Op-C ode, Mode-
Add
MRS
ILLEGAL
HX
XX
XDES EL
NO P(RowActiveafter tRSC )
LH
HH
XNOP
NO P(RowActiveafter tRSC )
LH
HL
BA
TERM
ILLEGAL
LH
LX
BA ,C A, A8
READ /WRI TE
ILLEGAL
LL
HH
BA ,R AACT
ILLEGAL
LL
HL
BA ,A 8PRE /PRE A
ILLEGAL
LL
LH
XREF A
ILLEG AL
LL
Op-C ode,M ode-
Add
MR S
ILLEG AL
MODE
REGISTER
SETTING
FUNCTIONAL TRUTH TABLE (continued)
Notes
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
| IS61C512-35K | x8 SRAM |
| IS61C512-35M | x8 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5BLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5B-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-6B | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 333MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。