參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6644PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 261K
代理商： IRF6644PBF
8
www.irf.com
DirectFET
(Medium Size Can, N-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Outline Dimension, MN Outline
DirectFET
Part Marking
MAX
0.250
0.201
0.156
0.018
0.036
0.032
0.056
0.036
0.020
0.051
0.115
0.0274
0.0031
0.007
MIN
0.246
0.189
0.152
0.014
0.034
0.031
0.054
0.034
0.019
0.046
0.109
0.0235
0.0008
0.003
MAX
6.35
5.05
3.95
0.45
0.92
0.82
1.42
0.92
0.52
1.29
2.91
0.676
0.080
0.17
MIN
6.25
4.80
3.85
0.35
0.88
0.78
1.38
0.88
0.48
1.16
2.74
0.616
0.020
0.08
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
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M
R
P
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6644TRPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6644 DirectFETPower MOSFET
IRF6646 DirectFET Power MOSFET
IRF6662 DirectFet Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)
IRF6691 HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF6644TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 60A 13mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6644TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6644TRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6645 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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