參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6644PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 261K
代理商： IRF6644PBF
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
100
Typ.
–––
Max. Units
–––
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
R
DS(on)
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.11
–––
V/°C
m
V
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
10.3
13
Gate Threshold Voltage
2.8
–––
4.8
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
-10
–––
mV/°C
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
20
μA
–––
–––
250
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
–––
100
nA
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
-100
gfs
Q
g
Forward Transconductance
15
–––
–––
S
Total Gate Charge
–––
35
47
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
Diode Characteristics
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
–––
8.0
–––
Post-Vth Gate-to-Source Charge
–––
1.6
–––
nC
Gate-to-Drain Charge
–––
11.5
17.3
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
–––
13
–––
See Fig. 15
–––
13.1
–––
–––
17
–––
nC
Gate Resistance
–––
1.0
2.0
Turn-On Delay Time
Rise Time
–––
–––
17
26
–––
–––
Turn-Off Delay Time
–––
34
–––
ns
Fall Time
–––
16
–––
Input Capacitance
–––
2210
–––
Output Capacitance
–––
420
–––
pF
Reverse Transfer Capacitance
–––
100
–––
Output Capacitance
–––
2120
–––
Output Capacitance
–––
240
–––
Parameter
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
10
I
S
(Body Diode)
A
I
SM
Pulsed Source Current
–––
–––
82
(Body Diode)
V
SD
t
rr
Q
rr
Diode Forward Voltage
–––
–––
1.3
V
Reverse Recovery Time
–––
42
63
ns
Reverse Recovery Charge
–––
69
100
nC
MOSFET symbol
R
G
=6.2
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
Conditions
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, f=1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, f=1.0MHz
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 6.2A
V
GS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 150μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V, I
D
= 6.2A
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 10.3A
T
J
= 25°C, I
F
= 6.2A, V
DD
= 50V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 6.2A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
I
D
= 6.2A
V
GS
= 10V
V
DS
= 50V
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PDF描述
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