參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6644PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
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代理商： IRF6644PBF
6
www.irf.com
Fig 15a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 15b.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 16c.
Unclamped Inductive Waveforms
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 16b.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 17b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
Fig 17a.
Switching Time Test Circuit
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
1K
VCC
DUT
0
L
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6644TRPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6644 DirectFETPower MOSFET
IRF6646 DirectFET Power MOSFET
IRF6662 DirectFet Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)
IRF6691 HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
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參數(shù)描述
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IRF6644TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 60A 13mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6644TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6644TRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6645 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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